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IRF6617TR1

HEXFETPowerMOSFET

Description TheIRF6617combinesthelatestHEXFET?PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRF6617TR1PBF

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IR
24+
DirectFETtradeIso
7500
詢價(jià)
IOR
2006
DIRECTFET
898
原裝現(xiàn)貨海量庫存歡迎咨詢
 詢價(jià)
International Rectifier
2022+
1
全新原裝 貨期兩周
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Infineon Technologies
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更多IRF6617TR1PBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-22 16:30:00

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