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IRF6710S2TR1PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
產品屬性
- 型號：
IRF6710S2TR1PBF
- 功能描述：
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 5.9mOhms 8.8nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IOR |
2016+ |
SMD |
6523 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨! |
詢價 | ||
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做進口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
DirectFETtradeIso |
7500 |
詢價 | |||
IR |
22+ |
QFN |
19658 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
19+ |
QFN |
74596 |
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠； |
詢價 | ||
Infineon |
18+ |
NA |
3000 |
進口原裝正品優(yōu)勢供應 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
DirectFET? Isometric S1 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
IR |
11+ |
QFN |
1000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
QFN |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢 |
詢價 | ||
只做原裝 |
24+ |
36520 |
一級代理/放心采購 |
詢價 |
