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IRF7105PBF規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
● Adavanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dual N and P Channel Mosfet
● Surface Mount
● Available in Tape & Reel
● Dynamic dv/dt Rating
● Fast Switching
● Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF7105PBF
- 功能描述：
MOSFET 25V DUAL N/P CH 20 VGS MAX V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
565 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||||
IR |
23+ |
SOIC8 |
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Infineon Technologies |
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原裝 |
5000 |
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SOP-8 |
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原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
IR |
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IR |
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IR |
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進口原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
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