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IRF7201PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF7201PBF
廠商型號

IRF7201PBF
功能描述

HEXFET? Power MOSFET
文件大小

173.99 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-21 9:12:00

IRF7201PBF規(guī)格書詳情

Description

Fifth Generation HEXFET? power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

? Generation V Technology

? Ultra Low On-Resistance

? N-Channel MOSFET

? Surface Mount

? Available in Tape & Reel

? Dynamic dv/dt Rating

? Fast Switching

? Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRF7201PBF

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 30mOhms 19nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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