IRF7324中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
IRF7324 |
功能描述 | HEXFET? Power MOSFET |
文件大小 |
104.75 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
企業(yè)簡稱 |
IRF |
中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-5-1 16:50:00 |
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IRF7324規(guī)格書詳情
Description
New trench HEXFET?Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in battery and load management applications.
● Trench Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dual P-Channel MOSFET
● Low Profile (<1.1mm)
● Available in Tape & Reel
● 2.5V Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號:
IRF7324
- 功能描述:
MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
- RoHS:
否
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
- 系列:
HEXFET®
- 產(chǎn)品目錄繪圖:
8-SOIC Mosfet Package
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1
- 系列:
- FET
- 型:
2 個(gè) N 溝道(雙) FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
- 功率 -
- 最大:
1.4W
- 安裝類型:
表面貼裝
- 封裝/外殼:
PowerPAK? SO-8
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
PowerPAK? SO-8
- 包裝:
Digi-Reel®
- 產(chǎn)品目錄頁面:
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名稱:
SI7948DP-T1-GE3DKR
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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