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IRHI7460SE

SimpleDriveRequirements

IRF

International Rectifier

IRHI7460SE

TRANSISTORN-CHANNEL(BVdss=500V,Rds(on)=0.32ohm,Id=20A)

IRF

International Rectifier

IRHM7460SE

TRANSISTORN-CHANNEL(BVdss=500V,Rds(on)=0.32ohm,Id=18.8A)

500VN-CHANNEL Features: ■SingleEventeffect(SEE)Hardened ■UltraLowRDS(on) ■LowTotalGateChange ■ProtonTolerant ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■HermeticallySealed ■LightWeight

IRF

International Rectifier

IRHM7460SE

SimpleDriveRequirements

IRF

International Rectifier

IRHNA7460SE

SimpleDriveRequirements

IRF

International Rectifier

IRHNA7460SE

TRANSISTORN-CHANNEL(BVdss=500V,Rds(on)=0.32ohm,Id=20A)

RADHard?HEXFET?TECHNOLOGY InternationalRectifier’sRADHardTMHEXFET?MOSFETtechnologyprovideshighperformancepowerMOSFETsforspaceapplications.Thistechnologyhasoveradecadeofprovenperformanceandreliabilityinsatelliteapplications.Thesedeviceshavebeencharacterizedforb

IRF

International Rectifier

IRHNB7460SE

RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETSURFACEMOUNT(SMD-3)

IRF

International Rectifier

KRF7460

HEXFETPowerMOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

NX7460LE

1480nmEDFAAPPLICATIONInGaAsPSTRAINEDMQWDC-PBHLASERDIODEMODULE

DESCRIPTION TheNX7460LEisa1480nmpumpinglaserdiodemodulewithopticalisolatorforanEDFA(ErDopedopticalFiberAmplifier)thatcanexpandthetransmissionspanandcompensateopticallosses.IthasastrainedMultipleQuantumWell(st-MQW)DC-PBHlaserdiodethatfeatureshighoutput

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NX7460LE

1510nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONSInGaAsPSTRAINEDMQWDC-PBHLASERDIODEMODULE

DESCRIPTION TheNX8501Seriesisa1510nmphase-shiftedDFB(DistributedFeed-Back)laserdiodewithsinglemodefiber. TheMultipleQuantumWell(MQW)structureisadoptedtoachievestabledynamicsinglelongitudinalmodeoperationoverwidetemperaturerangeof0to+65°C. Itisdesigned

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRF7460TR

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRF7460TR供應(yīng)商 更新時間2025-2-14 10:30:00

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