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IRF7705

Power MOSFET(Vdss=-30V)

Description HEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanex

IRF

International Rectifier

IRF7705GPBF

HEXFET? Power MOSFET Ultra Low On-Resistance

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IRF

International Rectifier

IRF7705PBF

Ultra Low On-Resistance

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IRF

International Rectifier

IRF7705PBF

Ultra Low On-Resistance

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

LM7705

LowNoiseNegativeBiasGenerator

NSCNational Semiconductor (TI)

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司

LM7705

LM7705LowNoiseNegativeBiasGenerator

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

LM7705MM

LowNoiseNegativeBiasGenerator

NSCNational Semiconductor (TI)

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司

LM7705MM/NOPB

LM7705LowNoiseNegativeBiasGenerator

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

LM7705MME

LowNoiseNegativeBiasGenerator

NSCNational Semiconductor (TI)

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司

LM7705MME/NOPB

LM7705LowNoiseNegativeBiasGenerator

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRF7705

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多IRF7705供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-24 9:30:00

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