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IRF7807V中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF7807V
廠商型號

IRF7807V
功能描述

N Channel Application Specific MOSFET
文件大小

159.95 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-21 17:31:00
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IRF7807V規(guī)格書詳情

Description

This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge. The reduction of conduction and switching losses makes it ideal for high efficiency DC-DC Converters that power the latest generation of mobile microprocessors.

A pair of IRF7807V devices provides the best cost/performance solution for system voltages, such as 3.3V and 5V.

? N Channel Application Specific MOSFET

? Ideal for Mobile DC-DC Converters

? Low Conduction Losses

? Low Switching Losses

? 100 RG Tested

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRF7807V

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
20+
SOP-8
43000
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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SOP-8P
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2023+
3000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨
 詢價

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