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IRF840中文資料尼爾半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRF840
廠商型號(hào)

IRF840
功能描述

N-Channel Power MOSFET
文件大小

337.85 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Nell Semiconductor Co., Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

NELLSEMI【尼爾半導(dǎo)體】

中文名稱(chēng)

尼爾半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-25 14:10:00
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IRF840規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

The Nell IRF840 are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are designed, tested and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation.

They are designed as an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications such as switching regulators. convertors, UPS, switching mode power supplies and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These transistors can be operated directly from integrated circuits.

FEATURES

● RDS(ON) = 0.85? @ VGS = 10V

● Ultra low gate charge(63nC Max.)

● Low reverse transfer capacitance (CRSS = 120pF typical)

● Fast switching capability

● 100 avalanche energy specified

● Improved dv/dt capability

● 150°C operation temperature

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRF840

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

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