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IRF9140	文件：309.4 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF9140	文件：22.16 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES ?HERMETICALLYSEALEDTO–3METALPACKAGE ?SIMPLEDRIVEREQUIREMENTS ?SCREENINGOPTIONSAVAILABLE	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF9140	文件：148.2 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.2ohm, Id=-18A) ProductSummary TheHEXFET?technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreve	IRF International Rectifier	IRF
IRF9140	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ?LowRDS(on) ?Improvedinductiveruggedness ?Fsatswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRF9140	文件：59.31 Kbytes Page：7 Pages	-19A, -100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET -19A,-100V,0.200Ohm,P-ChannelPowerMOSFET TheseareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.Allofthesepow	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF9140	文件：152.35 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
IRF9140	文件：290.73 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF9140_15	文件：152.35 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFM9140	文件：214.26 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA) HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establishedadvantagesofMOSFETs,s	IRF International Rectifier	IRF
IRFM9140	文件：219.85 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF9140
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(2+Tab) TO-3
功能描述：
TRANS MOSFET P-CH 100V 18A 2PIN TO-204AA - Bulk
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
P CHANNEL MOSFET, TO-3, LAW - Bulk
功能描述：
MOSFET P TO-3
功能描述：
MOSFET, P, TO-3
功能描述：
Single P-Channel 100 V 125 W 60 nC Hexfet Transistors Through Hole - TO-3
功能描述：
P CH MOSFET, -100V, 18A, TO-204AA; Transistor
Polarity：
P Channel; Continuous Drain Current
Id：
-18A; Drain Source Voltage
Vds：
-100V; On Resistance
Rds(on)：
200mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
-10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
-4V ;RoHS
Compliant：
No
制造商：
TT Electronics/Semelab
功能描述：
MOSFET P-Channel 100V 18A TO-3

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