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IRF9Z24STRL

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF9Z24STRLPBF

Power MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF9Z24STRLPBFA

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF9Z24STRR

PowerMOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF9Z24STRRPBF

PowerMOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF9Z24STRRPBFA

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFI9Z24G

IsolatedPackage

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFI9Z24G

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFI9Z24G

HEXFETPOWERMOSFET

IRF

International Rectifier

IRFI9Z24GPBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRF9Z24STRL

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
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更多IRF9Z24STRL供應(yīng)商 更新時間2025-5-4 9:16:00

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