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IRF9Z34STRR

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF9Z34STRRPBF

Power MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF9Z34STRRPBFA

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFI9Z34G

HEXFETPOWERMOSFET

IRF

International Rectifier

IRFI9Z34G

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFI9Z34G

PowerMOSFET

FEATURES ?Isolatedpackage ?Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) ?Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm ?P-channel ?175°Coperatingtemperature ?DynamicdV/dtrating ?Lowthermalresistance ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFI9Z34GPBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFI9Z34GPBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFI9Z34GPBF

HEXFETPOWERMOSFET

IRF

International Rectifier

IRFI9Z34N

HEXFETPowerMOSFET(-55V,0.1ohm,-14A)

IRF

International Rectifier

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRF9Z34STRR

  • 功能描述：

    MOSFET P-Chan 60V 18 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
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更多IRF9Z34STRR供應(yīng)商 更新時間2025-5-4 14:02:00

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