IRFB3307中文資料無(wú)錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
IRFB3307 |
| 功能描述 | N-Channel MOSFET Transistor |
| 文件大小 |
338.34 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
ISC【無(wú)錫固電】 |
| 中文名稱(chēng) | 無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-22 17:37:00 |
| 人工找貨 | IRFB3307價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFB3307
- 功能描述：
MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
- RoHS：
否
- 類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類(lèi)型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-220AB |
8600 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
14+ |
TO-220 |
30247 |
進(jìn)口原管現(xiàn)貨/50 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-220 |
30000 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十! |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
2016+ |
TO-220 |
31565 |
只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票! |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
TO220 |
53650 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢(xún)價(jià) | |||
IR |
20+ |
TO-220 |
36900 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-220/247 |
18689 |
詢(xún)價(jià) | |||
IR |
21+ |
TO-220 |
30000 |
百域芯優(yōu)勢(shì) 實(shí)單必成 可開(kāi)13點(diǎn)增值稅 |
詢(xún)價(jià) | ||
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微專(zhuān)業(yè)只做正品,假一罰百! |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY |
24+ |
TO-220 |
12000 |
VISHAY專(zhuān)營(yíng)進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢(xún)價(jià) |
