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IRFF111中文資料GESS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFF111
廠商型號(hào)

IRFF111

功能描述

Power MOS Field-Effect Transistors

文件大小

176.97 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 GE Solid State
企業(yè)簡(jiǎn)稱

GESS

中文名稱

GE Solid State

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-5-6 17:26:00

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IRFF111規(guī)格書(shū)詳情

N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistors

Features

? SOA is Power Dissipation Limited

? Nanosecond Switching Speeds

? Linear Transfer Characteristics

? High Input Impedance

? Majority carrier device

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFF111

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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