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IRFP250

ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司

IRFP250

SEMICONDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類(lèi)制造商etc2未分類(lèi)制造商

IRFP250

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP250

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP250_V02

Power MOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Isolatedcentralmountinghole ?Fastswitching ?EaseofParalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinf

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP250A

Advanced Power MOSFET

FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ■LowRDS(ON):0.071Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRFP250A

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ·DrainCurrent–ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.085Ω(Max) ·FastSwitching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFP250B

200V N-Channel MOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planar,DMOStechnology. Features ?32A,200V,RDS(on)=0.085?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical95nC) ?LowCrss(typical75pF) ?Fastswitching ?100ava

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRFP250MPBF

IR MOSFET?

Features ?AdvancedProcessTechnology ?Dynamicdv/dtRating ?175°COperatingTemperature ?FastSwitching ?FullyAvalancheRated ?EaseofParalleling ?SimpleDriveRequirements ?Lead-Free Description IRMOSFET?technologyfromInfineonutilizes advancedprocessingtechniquesto

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRFP250N

Power MOSFET(Vdss = 200 V, Rds(on)=0.075ohm, Id=30A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRFP250

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 200V 30 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON
20+
TO247
7
原裝現(xiàn)貨低價(jià)出售
 詢(xún)價(jià)
23+
TO-3P
12800
專(zhuān)注原裝正品現(xiàn)貨特價(jià)中量大可定
 詢(xún)價(jià)
IR
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
 詢(xún)價(jià)
IR
06+
TO-247
6000
自己公司全新庫(kù)存絕對(duì)有貨
 詢(xún)價(jià)
IR
23+
TO-3
5500
現(xiàn)貨,全新原裝
 詢(xún)價(jià)
IR
15+
TO-247
11560
全新原裝,現(xiàn)貨庫(kù)存,長(zhǎng)期供應(yīng)
 詢(xún)價(jià)
IR
2015+
TO-247AC
19889
一級(jí)代理原裝現(xiàn)貨,特價(jià)熱賣(mài)!
 詢(xún)價(jià)
VISHAY/IR
24+
原廠(chǎng)封裝
12675
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢(xún)價(jià)
IR
23+
TO247
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
 詢(xún)價(jià)
IR
2016+
TO-3P
3900
只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票!
 詢(xún)價(jià)
更多IRFP250供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-26 10:01:00

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