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IRFP9133中文資料三星數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRFP9133
廠商型號(hào)

IRFP9133

功能描述

P-CHANNEL POWER MOSFETS

文件大小

378.27 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-7 14:30:00

IRFP9133規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low RDS(on)

? Improved inductive ruggedness

? Fsat switching times

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Low input capacitance

? Extended safe operating area

? Improved high temperature reliability

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFP9133

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全稱:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    P-CHANNEL POWER MOSFETS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
HARRIS
24+
TO-3P
77
詢價(jià)
IR
1923+
TO-3P
1805
進(jìn)口正品無(wú)鉛IR010-82611102
詢價(jià)
IR/VISHAY
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10000
公司只做原裝正品
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全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售
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23+
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