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IRFPS3810中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFPS3810
廠商型號(hào)

IRFPS3810

功能描述

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.009ohm, Id=170A??

文件大小

124.13 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-22 23:00:00

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IRFPS3810規(guī)格書(shū)詳情

Description

The HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

● Advanced Process Technology

● Ultra Low On-Resistance

● Dynamic dv/dt Rating

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Fully Avalanche Rated

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFPS3810

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
24+
NA/
3355
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
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Infineon(英飛凌)
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SUPER247
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現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!!
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一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
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全新原裝
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Infineon/英飛凌
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原裝
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原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
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SUPER-247
35890
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