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IRFR020TRPBF中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRFR020TRPBF |
| 功能描述 | Power MOSFET |
| 文件大小 |
4.37106 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Kersemi Electronic Co., Ltd. |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
KERSEMI |
| 中文名稱 | Kersemi Electronic Co., Ltd.官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-16 20:00:00 |
| 人工找貨 | IRFR020TRPBF價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRFR020TRPBF規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.
FEATURES
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
? Dynamic dV/dt Rating
? Surface Mount (IRFR020, SiHFR020)
? Available in Tape and Reel
? Fast Switching
? Ease of Paralleling
? Simple Drive Requirements
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFR020TRPBF
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 14 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
22668 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-252 |
4500 |
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-252 |
2000 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價(jià) | ||
VishayIR |
24+ |
TO-252 |
7500 |
詢價(jià) | |||
VISHAY(威世) |
23+ |
TO-252 |
9203 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。 |
詢價(jià) | ||
IR |
19+ |
TO-252 |
74939 |
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠； |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO252 |
9000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
IR |
17+ |
TO-252 |
6200 |
詢價(jià) | |||
IR |
24+ |
TO252 |
4800 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
I |
2020+ |
TO/252 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) |
