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IRFR1010Z中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFR1010Z
廠商型號(hào)

IRFR1010Z

功能描述

Advanced Process Technology

文件大小

4.28522 Mbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Kersemi Electronic Co., Ltd.
企業(yè)簡稱

KERSEMI

中文名稱

Kersemi Electronic Co., Ltd.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-3-16 12:00:00

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IRFR1010Z規(guī)格書詳情

Description

Specifically designed for Automotive applications, this MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications

Features

? Advanced Process Technology

? Ultra Low On-Resistance

? 175°C Operating Temperature

? Fast Switching

? Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFR1010Z

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IR
24+
N/A
8000
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
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Infineon Technologies
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原裝
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原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
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TO-252
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2020+
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只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
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IR/VISHAY
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TO-252
43000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種
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NA
19+
74945
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠;
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Infineon
23+
DPAK
15500
英飛凌優(yōu)勢渠道全系列在售
詢價(jià)