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IRFRSLASHU2405	文件：1.61391 Mbytes Page：8 Pages	SurfaceMount(IRFR2405) Description TheD-Pakisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestraightleadversion(IRFUseries)isforthrough-holemountingapplications.Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossibleintypicalsurfacemountapplications. ●Surf	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU2405	文件：129.36 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.016ohm,Id=56A?? Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRFU2405	文件：901.79 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMount(IRFR2405)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU2405	文件：247.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFU2405PBF	文件：217.62 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRFU2405PbF	文件：226.77 Kbytes Page：11 Pages	SurfaceMount(IRFR2405)	IRF International Rectifier	IRF
IRFU2405PBF	文件：226.77 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRFU2405PBF	文件：3.83412 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU2405PBF	文件：3.82933 Mbytes Page：10 Pages	SurfaceMount(IRFR2405)StraightLead(IRFU2405)AdvancedProcessTechnology Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IS2405SA	文件：59.73 Kbytes Page：1 Pages	DC-DCPowerSupplies	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER

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