首頁(yè)>IRFR320>規(guī)格書(shū)詳情

IRFR320中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFR320
廠商型號(hào)

IRFR320
功能描述

Power MOSFET
文件大小

1.55974 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay【威世科技】

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-2-13 17:17:00

IRFR320規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surface mount applications.

FEATURES

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? Surface Mount (IRFR320/SiHFR320)

? Straight Lead (IRFU320/SiHFU320)

? Available in Tape and Reel

? Fast Switching

? Ease of Paralleling

? Lead (Pb)-free Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRFR320

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
VISHAY
24+
TO-252
12000
VISHAY專營(yíng)進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
IR
14+PBF
TO-252
500
現(xiàn)貨
 詢價(jià)
VISHAY/威世
21+
SOT-252
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
IR
1950+
TO252
9852
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
 詢價(jià)
VISHAY/威世
23+
TO252
90000
一定原裝正品
 詢價(jià)
IR
24+
TO 252
161244
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IR
2023+
TO-252-2
5425
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售
 詢價(jià)
IOR
24+
TO252
6980
原裝現(xiàn)貨,可開(kāi)13%稅票
 詢價(jià)
IR
23+
NA
400
專做原裝正品,假一罰百!
 詢價(jià)
VISHAY
2016+
TO-252
3900
只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票!
 詢價(jià)

相關(guān)庫(kù)存

更多