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IRFR3709ZPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFR3709ZPBF
廠商型號(hào)

IRFR3709ZPBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(on)max = 6.5m廓 , Qg = 17nC )

文件大小

270.45 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 16:00:00

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IRFR3709ZPBF規(guī)格書(shū)詳情

Benefits

● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS

● Ultra-Low Gate Impedance

● Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

Applications

● High Frequency Synchronous Buck

Converters for Computer Processor Power

● High Frequency Isolated DC-DC

Converters with Synchronous Rectification

for Telecom and Industrial Use

● Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFR3709ZPBF

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 17nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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