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IRFR6215PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFR6215PBF
廠商型號(hào)

IRFR6215PBF

功能描述

HEXFET? Power MOSFET

文件大小

246.37 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 8:50:00

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IRFR6215PBF規(guī)格書(shū)詳情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

? P-Channel

? 175°C Operating Temperature

? Surface Mount (IRFR6215)

? Straight Lead (IRFU6215)

? Advanced Process Technology

? Fast Switching

? Fully Avalanche Rated

? Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFR6215PBF

  • 功能描述:

    MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INFINEON/英飛凌
23+
TO-252
7000
詢價(jià)
IR
1127+
TO-252
3000
只有原裝正品現(xiàn)貨原標(biāo)原盒支持實(shí)單
詢價(jià)
INFINEON
2022+
TO-252
57550
詢價(jià)
IR
17+
TO-252
6200
詢價(jià)
IR
24+
原廠封裝
65250
支持樣品,原裝現(xiàn)貨,提供技術(shù)支持!
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Infineon
2022+
原廠原包裝
6800
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
24+
NA/
3260
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
25+
TO-252
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百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成
詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
11+
TO-252
2
深圳原裝無(wú)鉛現(xiàn)貨
詢價(jià)