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IRFR6215PBF中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFR6215PBF
廠商型號

IRFR6215PBF

功能描述

HEXFET? Power MOSFET

文件大小

654.43 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-21 18:24:00

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IRFR6215PBF規(guī)格書詳情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

? P-Channel

? 175°C Operating Temperature

? Surface Mount (IRFR6215)

? Straight Lead (IRFU6215)

? Advanced Process Technology

? Fast Switching

? Fully Avalanche Rated

? Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFR6215PBF

  • 功能描述:

    MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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