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IRFR9N20DPBF中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFR9N20DPBF
廠(chǎng)商型號(hào)

IRFR9N20DPBF

功能描述

SMPS MOSFET

文件大小

3.8431 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Kersemi Electronic Co., Ltd.
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

KERSEMI

中文名稱(chēng)

Kersemi Electronic Co., Ltd.官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 23:00:00

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IRFR9N20DPBF規(guī)格書(shū)詳情

Benefits

● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses

● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001)

● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

Applications

● High frequency DC-DC converters

● Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFR9N20DPBF

  • 功能描述:

    MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 380mOhms 18nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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