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IRFR9N20DPBF中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠(chǎng)商型號(hào) |
IRFR9N20DPBF |
功能描述 | SMPS MOSFET |
文件大小 |
3.8431 Mbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
生產(chǎn)廠(chǎng)商 | Kersemi Electronic Co., Ltd. |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
KERSEMI |
中文名稱(chēng) | Kersemi Electronic Co., Ltd.官網(wǎng) |
原廠(chǎng)標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-5-4 23:00:00 |
人工找貨 | IRFR9N20DPBF價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRFR9N20DPBF規(guī)格書(shū)詳情
Benefits
● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001)
● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
Applications
● High frequency DC-DC converters
● Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IRFR9N20DPBF
- 功能描述:
MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 380mOhms 18nC
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
1497 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
25+ |
TO-252 |
65248 |
百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
501010 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-252 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
327 |
只做原廠(chǎng)渠道 可追溯貨源 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO |
8900 |
英瑞芯只做原裝正品!!! |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
2447 |
SMD |
100500 |
一級(jí)代理專(zhuān)營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
2022+ |
D-pak |
30000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR/INFINEON |
23+ |
TO252 |
7000 |
詢(xún)價(jià) |