首頁>IRFRC20TRLPBF>規(guī)格書詳情

IRFRC20TRLPBF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRFRC20TRLPBF
廠商型號(hào)

IRFRC20TRLPBF

功能描述

Power MOSFET

文件大小

1.82401 Mbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-14 22:30:00

IRFRC20TRLPBF規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The D PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFUC/SiHFUC series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surcace mount applications.

FEATURES

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? Surface Mount (IRFRC20, SiHFRC20

? Straight Lead (IRFUC20, SiHFUC20)

? Available in Tape and Reel

? Fast Switching

? Ease of Paralleling

? Lead (Pb)-free Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFRC20TRLPBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IR
2020+
TO-252
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
詢價(jià)
VISHAY/威世
23+
NA/
8250
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
詢價(jià)
VISHAY只做原
24+
TO-252
5000
一級(jí)代理保證進(jìn)口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價(jià)格合理
詢價(jià)
VISHAY只做原
24+
TO-252
5000
十年沉淀唯有原裝
詢價(jià)
IR
22+
TO-252
5623
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
詢價(jià)
VISHAY/威世
22+
N/A
12245
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!
詢價(jià)
VISHAY只做原
24+
TO-252
5000
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
詢價(jià)
VISHAY/威世
23+
NA
30000
房間原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣,有單詳談
詢價(jià)
VISHAY
23+
SOT252
28000
原裝正品
詢價(jià)
ir
24+
N/A
6980
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票
詢價(jià)