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B31N20D

PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.082ohm,Id=31A)

Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent

IRF

International Rectifier

FF31N20D

THINKI40A,200VMaturedPlanarN-ChannelPowerMOSFETs

Features ?40A,200V,RDS(on)=0.060Ω@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical154nC) ?LowCrss(typical101pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?175°Cmaximumjunctiontemperaturerating

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導體思祁半導體有限公司

FS31N20D

THINKI40A,200VMaturedPlanarN-ChannelPowerMOSFETs

Features ?40A,200V,RDS(on)=0.060Ω@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical154nC) ?LowCrss(typical101pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?175°Cmaximumjunctiontemperaturerating

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導體思祁半導體有限公司

IIRFB31N20D

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFB31N20

PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.082ohm,Id=31A)

Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent

IRF

International Rectifier

IRFB31N20D

SEMICONDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

IRFB31N20D

PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.082ohm,Id=31A)

Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent

IRF

International Rectifier

IRFB31N20D

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFB31N20DPBF

HighFrequencyDC-DCconverters

IRF

International Rectifier

IRFB31N20DPBF

HEXFETPowerMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)max=0.082廓,ID=31A)

Applications HighFrequencyDC-DCconverters Lead-Free  Benefits LowGatetoDraintoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent

IRF

International Rectifier

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFS31N20DTRR

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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IRFS31N20DTRR
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更多IRFS31N20DTRR供應商 更新時間2025-5-18 9:16:00

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