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IRFS52N15DPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
IRFS52N15DPBF |
功能描述 | HEXFET Power MOSFET |
文件大小 |
345.45 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
企業(yè)簡稱 |
IRF |
中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-16 14:30:00 |
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IRFS52N15DPBF規(guī)格書詳情
Benefits
● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001)
● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
● Lead-Free
Applications
● High frequency DC-DC converters
● Plasma Display Panel
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IRFS52N15DPBF
- 功能描述:
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 60nC
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-263 |
303 |
詢價(jià) | |||
IR |
2020+ |
D2-PAK |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3725 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
IR |
2020+ |
TO-263 |
9500 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-263 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
D2PAK |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) |