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IRFU220N

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=600mohm, Id=5.0A)

Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent TypicalSMPSTopologies ●T

IRF

International Rectifier

IRFU220N

SMPS MOSFET

Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFU220N

Marking：IPAK；Package：TO-251；Isc N-Channel MOSFET Transistor

?FEATURES ?WithTO-251(IPAK)packaging ?Uninterruptiblepowersupply ?Highspeedswitching ?Hardswitchedandhighfrequencycircuits ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications ?

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFU220NPBF

HEXFET Power MOSFET

Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters ?Lead-Free Benefits ?LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent

IRF

International Rectifier

IRFU220NPBF

SMPS MOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFU220NPBF

High frequency DC-DC converters

IRF

International Rectifier

IRFU220NPBF

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

IRFU220PBF

HEXFEPPowerMOSFET

HEXFEP?PowerMOSFETVdss=200VRDS(on)=0.80?ID=4.8A

IRF

International Rectifier

IRFU220PBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestr

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFU220PBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFU220N

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
24+
TO-251
200
只做原廠渠道 可追溯貨源
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24+
N/A
8000
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
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2024+
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柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
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TO-251
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TO-251
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24+
TO-251
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06+
TO-251
12000
原裝庫存
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IR
24+
原廠封裝
9
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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IRF
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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23+
TO-251
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
更多IRFU220N供應商 更新時間2025-2-12 11:04:00

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