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IRFU4105中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFU4105
廠商型號

IRFU4105
功能描述

Ultra Low On-Resistance
文件大小

3.74603 Mbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產廠商 Kersemi Electronic Co., Ltd.
企業(yè)簡稱

KERSEMI

中文名稱

Kersemi Electronic Co., Ltd.官網
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-5-1 9:38:00
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IRFU4105規(guī)格書詳情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU series) is for throughhole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are possible in typical surface mount applications.

● Ultra Low On-Resistance

● Surface Mount (IRFR4105)

● Straight Lead (IRFU4105)

● Fast Switching

● Fully Avalanche Rated

產品屬性

  • 型號：

    IRFU4105

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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