IRFU9120中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
IRFU9120 |
| 功能描述 | Power MOSFET |
| 文件大小 |
4.40685 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
7 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Kersemi Electronic Co., Ltd. |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
KERSEMI |
| 中文名稱 | Kersemi Electronic Co., Ltd.官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-14 13:00:00 |
| 人工找貨 | IRFU9120價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRFU9120規(guī)格書(shū)詳情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effictiveness.
The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surcace mount applications.
FEATURES
? Dynamic dV/dt Rating
? Repetitive Avalanche Rated
? Surface Mount (IRFR9120/SiHFR9120)
? Straight Lead (IRFU9120/SiHFU9120)
? Available in Tape and Reel
? P-Channel
? Fast Switching
? Lead (Pb)-free Available
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFU9120
- 功能描述：
MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
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詢價(jià) | ||
IR |
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5000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-251 |
9000 |
原裝正品 |
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IR |
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IR |
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VISHAY |
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IR |
ROHS+Original |
NA |
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詢價(jià) |
