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IRFUC20PBF中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFUC20PBF
廠商型號(hào)

IRFUC20PBF

功能描述

Power MOSFET

文件大小

4.34026 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Kersemi Electronic Co., Ltd.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

KERSEMI

中文名稱

Kersemi Electronic Co., Ltd.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-16 17:30:00

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IRFUC20PBF規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The D PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFUC/SiHFUC series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surcace mount applications.

FEATURES

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? Surface Mount (IRFRC20/SiHFRC20)

? Straight Lead (IRFUC20/SiHFUC20)

? Available in Tape and Reel

? Fast Switching

? Ease of Paralleling

? Lead (Pb)-free Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFUC20PBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
VISHAY/威世
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深圳原裝進(jìn)口無(wú)鉛現(xiàn)貨
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