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IRFZ46NS中文資料IRF數據手冊PDF規(guī)格書

IRFZ46NS
廠商型號

IRFZ46NS
功能描述

HEXFET POWER MOSFET
文件大小

263.4 Kbytes
頁面數量

10 頁
生產廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-3-15 23:00:00
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IRFZ46NS規(guī)格書詳情

Description

Advanced HEXFET?Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

? Advanced Process Technology

? Surface Mount(IRFZ46NS)

? Low-profile through-hole(IRFZ46NL)

? 175°C Operating Temperature

? Fast Switching

? Fully Avalanche Rated

產品屬性

  • 型號：

    IRFZ46NS

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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