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IRG4BC10SD-L分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IRG4BC10SD-L |
| 參數(shù)屬性 | IRG4BC10SD-L 封裝/外殼為TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 14A 38W TO262 |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A) |
| 封裝外殼 | TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA |
| 文件大小 |
217.3 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-25 16:02:00 |
| 人工找貨 | IRG4BC10SD-L價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
IRG4BC10SD-L
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，8A
- 開關(guān)能量：
310μJ（開），3.28mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
76ns/815ns
- 測(cè)試條件：
480V，8A，100 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-262
- 描述：
IGBT 600V 14A 38W TO262
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-262 |
8560 |
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詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
NA |
68932 |
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IR |
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IR |
23+ |
TO-262 |
8600 |
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IR |
2016+ |
TO-262 |
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詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
7300 |
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詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
7300 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
7000 |
詢價(jià) | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-262 |
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詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
24+ |
TO-262-3 長(zhǎng)引線 I?Pak TO-26 |
9350 |
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詢價(jià) |
