IRG4BC30U分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
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廠商型號 |
IRG4BC30U |
參數(shù)屬性 | IRG4BC30U 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 23A 100W TO220AB |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A) |
封裝外殼 | TO-220-3 |
文件大小 |
167.86 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
企業(yè)簡稱 |
IRF |
中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-23 20:00:00 |
人工找貨 | IRG4BC30U價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
IRG4BC30U規(guī)格書詳情
Features
? UltraFast: optimized for high operating
frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200
kHz in resonant mode
? Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
Generation 3
? Industry standard TO-220AB package
Benefits
? Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
? IGBTs optimized for specified application conditions
? Designed to be a drop-in replacement for equivalent
industry-standard Generation 3 IR IGBTs
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IRG4BC30U
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
卷帶(TR)
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,12A
- 開關(guān)能量:
160μJ(開),200μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
17ns/78ns
- 測試條件:
480V,12A,23 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220AB
- 描述:
IGBT 600V 23A 100W TO220AB
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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IR |
23+ |
NA/ |
38 |
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IR |
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TO 220 |
161533 |
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IR |
22+23+ |
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IR |
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TO220 |
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IR |
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