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IRG4BH20K-S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4BH20K-S
廠商型號(hào)

IRG4BH20K-S
參數(shù)屬性

IRG4BH20K-S 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 11A 60W D2PAK
功能描述

Trench Field-Stop IGBT
封裝外殼

TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
文件大小

345.03 Kbytes
頁面數(shù)量

3 頁
生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC【無錫固電】

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-21 18:31:00
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IRG4BH20K-S規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

· Low Saturation Voltage:VCE(sat)=1.4V(Typ)@IC= 5A

· Low Switching Losses

· VCE(sat) with Positive Temperature Coefficient

APPLICATIONS

· Frequency Converters

· Home appliances

· Lighting

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4BH20K-S

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    4.3V @ 15V，5A

  • 開關(guān)能量：

    450μJ（開），440μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    23ns/93ns

  • 測試條件：

    960V，5A，50 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D2PAK

  • 描述：

    IGBT 1200V 11A 60W D2PAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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