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IRG4PC50F-EPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IRG4PC50F-EPBF |
| 參數(shù)屬性 | IRG4PC50F-EPBF 封裝/外殼為T(mén)O-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 70A 200W TO247AD |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
329.46 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-5 18:14:00 |
| 人工找貨 | IRG4PC50F-EPBF價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRG4PC50F-EPBF規(guī)格書(shū)詳情
Features
? Optimized for medium operating
frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20
kHz in resonant mode).
? Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
Generation 3
? Industry standard TO-247AD package
? Lead-Free
Benefits
? Generation -4 IGBT`s offer highest efficiencies available
? IGBT`s optimized for specific application conditions
? Designed to be a drop-in replacement for equivalent
industry-standard Generation 3 IR IGBT`s
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
IRG4PC50F-EPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
1.6V @ 15V，39A
- 開(kāi)關(guān)能量：
370μJ（開(kāi)），2.1mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
31ns/240ns
- 測(cè)試條件：
480V，39A，5 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 600V 70A 200W TO247AD
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2018+ |
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詢價(jià) | |||
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IR |
24+ |
TO-247-3 |
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