IRG4PH30分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
IRG4PH30 |
參數(shù)屬性 | IRG4PH30 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 20A 100W TO247AC |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A) |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
212.54 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
企業(yè)簡稱 |
IRF |
中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-4-30 22:30:00 |
人工找貨 | IRG4PH30價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
IRG4PH30規(guī)格書詳情
Features
? High short circuit rating optimized for motor control,
tsc =10μs, VCC = 720V , TJ = 125°C,
VGE = 15V
? Combines low conduction losses with high
switching speed
? Tighter parameter distribution and higher efficiency
than previous generations
? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
ultrasoft recovery antiparallel diodes
Benefits
? Latest generation 4 IGBTs offer highest power density
motor controls possible
? HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs.
Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and
switching losses
? This part replaces IRGPH30MD2 products
? For hints see design tip 97003
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IRG4PH30KD
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
4.2V @ 15V,10A
- 開關(guān)能量:
950μJ(開),1.15mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
39ns/220ns
- 測試條件:
800V,10A,23 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247AC
- 描述:
IGBT 1200V 20A 100W TO247AC
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-247 |
80000 |
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IR |
23+ |
TO-3P |
9896 |
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IR |
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TO-247 |
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23+ |
TO-247 |
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IR |
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IR |
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