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IRG7PH50K10D-EPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IRG7PH50K10D-EPBF
廠商型號(hào)

IRG7PH50K10D-EPBF

參數(shù)屬性

IRG7PH50K10D-EPBF 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 90A 400W TO247AD

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

550.3 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-23 15:00:00

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IRG7PH50K10D-EPBF規(guī)格書(shū)詳情

Features

Low VCE(ON) and switching losses

10μs Short Circuit SOA

Square RBSOA

Maximum Junction Temperature 150°C

Positive VCE (ON) Temperature Coefficient

Benefits

High efficiency in a Wide Range of Applications

Increased Reliability

Excellent Current Sharing in Parallel Operation

Rugged Transient Performance

Applications

? Industrial Motor Drive

? UPS

? Solar Inverters

? Welding

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRG7PH50K10D-EPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,35A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    2.3mJ(開(kāi)),1.6mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    90ns/340ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,35A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 90A 400W TO247AD

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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