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IRGB6B60KPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?Lead-Free. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransientPerformance. ?LowEMI. ?ExcellentCurrentSharing

IRF

International Rectifier

IRGB6B60KPBF

Package：TO-220-3；包裝：卷帶（TR） 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 13A 90W TO220AB

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRGIB6B60KD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?LowDiodeVF. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransien

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International Rectifier

IRGIB6B60KD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?LowDiodeVF. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransien

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International Rectifier

IRGIB6B60KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

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International Rectifier

IRGIB6B60KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?LowDiodeVF. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?Lead-Free. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?R

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IRGS6B60K

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransientPerformance. ?LowEMI. ?ExcellentCurrent

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International Rectifier

IRGS6B60KD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?LowDiodeVF. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?Lead-Free Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?Ru

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IRGS6B60KD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?LowDiodeVF. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?TO-220isavailableinPbFasaLead-Free Benefits ?BenchmarkEff

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IRGS6B60KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

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International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRGB6B60KPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類(lèi)型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，5A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    110μJ（開(kāi)），135μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    25ns/215ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，5A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT 600V 13A 90W TO220AB

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
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292
詢(xún)價(jià)
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全新原裝優(yōu)勢(shì)
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3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
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19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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23+
TO-220
8560
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣(mài)!
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1
全新原裝 貨期兩周
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3675
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TO220AB
10000
公司只做原裝正品
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更多IRGB6B60KPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-6 16:30:00

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