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IRGS4B60K分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGS4B60K
廠商型號

IRGS4B60K

參數(shù)屬性

IRGS4B60K 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V D2PAK-3

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

封裝外殼

TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

文件大小

324.07 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-12 8:02:00

IRGS4B60K規(guī)格書詳情

Features

? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

? 10μs Short Circuit Capability.

? Square RBSOA.

? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

? Maximum Junction Temperature rated at 175°C.

? Lead-Free.

Benefits

? Benchmark Efficiency for Motor Control.

? Rugged Transient Performance.

? Low EMI.

? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRGS4B60KPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,4A

  • 開關(guān)能量:

    73μJ(開),47μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    22ns/100ns

  • 測試條件:

    400V,4A,100 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 600V D2PAK-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon Technologies
21+
D2PAK
800
100%進口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)!
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INFINEON/英飛凌
21+
TO-263
5237
原裝現(xiàn)貨假一賠十
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2023+
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
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原廠封裝
2000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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2020+
TO-263
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
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23+
NA/
202
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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Infineon/英飛凌
23+
TO-263
25000
原裝正品,假一賠十!
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Infineon(英飛凌)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務(wù)做口碑有支持
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Infineon Technologies
21+
D2PAK
13880
公司只售原裝,支持實單
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IR
2016+
TO-263
6528
房間原裝進口現(xiàn)貨假一賠十
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