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IRGSL4B60KD1PBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. ?Lead-Free Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransientPerform

IRF

International Rectifier

IRGSL4B60KD1PBF

Package：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA；包裝：卷帶（TR） 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT NPT 600V 11A TO262

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRGB4B60KD1

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransientPerformance. ?Low

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International Rectifier

IRGB4B60KD1

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITH

IRF

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IRGB4B60KD1PBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. ?Lead-Free Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransientPerform

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IRGB4B60KD1PBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. ?Lead-Free Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransientPerform

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IRGS4B60KD1

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. ?Lead-Free Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransientPerform

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Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransientPerformance. ?Low

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IRGS4B60KD1

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IRGS4B60KD1PBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRGSL4B60KD1PBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類(lèi)型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，4A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    73μJ（開(kāi)），47μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    22ns/100ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，4A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-262

  • 描述：

    IGBT NPT 600V 11A TO262

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
24+
TO-262-3
346
詢(xún)價(jià)
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23+
TO-262
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
 詢(xún)價(jià)
Infineon
24+
NA
3668
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
 詢(xún)價(jià)
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24+
TO262
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
 詢(xún)價(jià)
International Rectifier
2022+
1
全新原裝 貨期兩周
 詢(xún)價(jià)
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1931+
N/A
493
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1809+
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1675
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22+
NA
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 詢(xún)價(jià)
Infineon Technologies
22+
TO262
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢(xún)價(jià)
Infineon Technologies
21+
TO262
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
 詢(xún)價(jià)
更多IRGSL4B60KD1PBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-21 16:30:00

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