IRL3803L中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRL3803L規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from international Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast swiching speed and urggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with extrmely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Logic-Level Gate Drive
● Advanced Process Technology
● Surface Mount(IRL3803S)
● Low-profile through-hole(IRL3803L)
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRL3803L
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 140A TO-262
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-262 |
35890 |
詢價 | |||
IR |
22+ |
TO-262 |
950000 |
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口貨 |
詢價 | ||
IR |
17+ |
TO-262 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-262 |
16800 |
絕對原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!? |
詢價 | ||
IR |
1999 |
5000 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu) |
詢價 | |||
IR |
TO262 |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價 | |||
IR |
05+ |
TO-262 |
3 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
13880 |
公司只售原裝,支持實單 |
詢價 | ||
IR |
2018+ |
TO262 |
6528 |
只做原裝正品假一賠十!只要網(wǎng)上有上百分百有庫存放心 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
90000 |
一定原裝房間現(xiàn)貨 |
詢價 |
