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IRL630S

Power MOSFET

FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?Dynamicdv/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Logic-levelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?150°Coperatingtemperature ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRL630S_V01

Power MOSFET

FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?Dynamicdv/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Logic-levelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?150°Coperatingtemperature ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRL630SPBF

HEXFET Power MOSFET

VDSS=200V RDS(on)=0.40? ID=9.0A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableof

IRF

International Rectifier

IRL630A

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRL630S

Available in Tape and Reel

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRL630SPBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRL630STRLPBFA

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRL630STRRPBFA

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRL630

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRL630供應(yīng)商 更新時間2025-3-30 16:30:00

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