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IRLL014PBF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IRLL014PBF |
| 功能描述 | Power MOSFET |
| 文件大小 |
959.24 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
| 企業(yè)簡稱 |
Vishay【威世科技】 |
| 中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-23 23:01:00 |
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IRLL014PBF規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The SOT-223 package is designed for surface-mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performace due to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation of greater than 1.25 W is possible in a typical surface mount application.
FEATURES
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
? Surface Mount
? Available in Tape and Reel
? Dynamic dV/dt Rating
? Logic-Level Gate Drive
? RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V
? Fast Switching
? Ease of Paralleling
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRLL014PBF
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR(國際整流器) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價 | ||
Vishay(威世) |
24+ |
NA/ |
7350 |
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詢價 | ||
IR |
06+ |
SOT223 |
926 |
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詢價 | ||
IR |
24+/25+ |
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VISHAY |
23+ |
SOT223 |
7750 |
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Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
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IR |
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SOT223 |
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IR |
23+ |
SOT-223 |
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