首頁(yè)>IRLML2803TR>規(guī)格書詳情
IRLML2803TR中文資料友臺(tái)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRLML2803TR |
| 功能描述 | Generation VTechnology UltraLowOn- Resistance |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | SOT-23 |
| 文件大小 |
449.62 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
7 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
UMW【友臺(tái)半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-11 22:58:00 |
IRLML2803TR規(guī)格書詳情
Features
VDS (V) = 30V
RDS(ON) < 250m (VGS = 10V)
RDS(ON) < 400m (VGS = 4.5V)
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRLML2803TR
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2016+ |
SMD |
3200 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
INTERNATIONAL |
23+ |
SOT23 |
20000 |
全新原裝假一賠十 |
詢價(jià) | ||
IR |
2020+ |
SOT23 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
IR/VISHAY |
22+ |
SOT-23 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
NA/ |
5719 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
SOT23 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
21+ |
TO2363 SC59 SOT233 |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IR |
2223+ |
SOT-23 |
26800 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn) |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO23 |
221 |
現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
IR |
01+ |
2400 |
公司優(yōu)勢(shì)庫(kù)存 熱賣中! |
詢價(jià) |
