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IRLR024Z

AUTOMOTIVEMOSFET

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp

IRF

International Rectifier

IRLR024ZPBF

AUTOMOTIVEMOSFET

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpr

IRF

International Rectifier

IRLU024

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.? TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLU024

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLU024

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLU024

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLU024

PowerMOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Surface-mount(IRLR024,SiHLR024) ?Straightlead(IRLU024,SiHLU024) ?Availableintapeandreel ?Logic-levelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.v

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLU024A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRLU024N

HEXFETPowerMOSFET

Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewel

IRF

International Rectifier

IRLU024N

Logic-LevelGateDrive

Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewel

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRLR024TRR

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

  • RoHS：

    否

  • 類(lèi)別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多IRLR024TRR供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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