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IRLR120PBF

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRLR120PBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLR120TRL

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLR120TRLPBF

PowerMOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLR120TRRPBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLRSLASHU120NPBF

SurfaceMount(IRLR120N)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRLRU120A

AdvancedPowerMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRLRU120N

PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.185ohm,Id=10A)

IRF

International Rectifier

IRLU120

PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.185ohm,Id=10A)

IRF

International Rectifier

IRLU120

HEXFETPowerMOSFET

Description ThirdGenerationPowerMOSFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingt

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRLR120NTRR

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
24+
TO-252
25000
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價(jià)
IR
24+
TO-252
36800
詢價(jià)
IR
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一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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100%進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng))!
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IR
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25000
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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21+
TO-252-2
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
更多IRLR120NTRR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-12 16:36:00

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