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IRLR2905分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

IRLR2905
廠商型號

IRLR2905
參數(shù)屬性

IRLR2905 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CH 55V 36A DPAK
功能描述

HEXFET Power MOSFET
封裝外殼

TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
文件大小

135.08 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-21 15:24:00
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IRLR2905規(guī)格書詳情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are possible in typical surface mount applications.

? Logic-Level Gate Drive

? Ultra Low On-Resistance

? Surface Mount (IRLR2905)

? Straight Lead (IRLU2905)

? Advanced Process Technology

? Fast Switching

? Fully Avalanche Rated

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRLR2905CPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

  • 包裝：

    管件

  • FET 類型：

    N 通道

  • 技術(shù)：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    36A（Ta）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D-Pak

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 描述：

    MOSFET N-CH 55V 36A DPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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