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IRLZ24NLPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRLZ24NLPBF
廠商型號

IRLZ24NLPBF
功能描述

HEXFET Power MOSFET
文件大小

301.3 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-15 17:27:00
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IRLZ24NLPBF規(guī)格書詳情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of

applications.

● Logic-Level Gate Drive

● Advanced Process Technology

● Surface Mount (IRLZ24NS)

● Low-profile through-hole (IRLZ24NL)

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Fully Avalanche Rated

● Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRLZ24NLPBF

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 55V 18A TO-262

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IR
23+
TO-252
8238
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